• <del id="viycn"><div id="viycn"></div></del>
    網站首頁 公司簡介 新聞中心 產品展示 企業文化 聯系我們

    A、玻璃行業專用碳化硅電熱元件
    B、玻璃纖維坩堝爐專用硅碳棒
    C、氮化硅燒結爐專用碳化硅電熱元件
    D、通用型碳化硅電熱元件
    E、抗腐蝕粗端部硅碳棒

      電話:0533-8179050
      傳真:0533-6588997
      手機:13869320298
      網址:www.effiproz.net
      地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)
     
      
          新聞中心 網站首頁 >> 公司新聞
     
    硅碳棒的氧化動力學過程

        學過程對提高硅碳棒高溫使用壽命有重要的意義,但目前對硅碳棒的氧化動力學過程還未達成統一的意見。認為SiC顆粒上形成的Si0:層的增長控制步驟可能是氧離子或硅離子的擴散,分子擴散的活化能太大,排除了02,CO:和CO致使SiC發生鈍化氧化的可能性:認為6H- a -SiC在所有溫度下((0001)硅面上的薄氧層的生成均呈線性,而碳面上氧化層初始階段動力學上呈線性,但厚度超過250nm時轉變為拋物線規律;認為在SiO2lSiC界面上形成的CO氣體的解吸是速率控制步驟;則認為控制步驟是氧氣通過Si02膜向內擴散的過程。根據以下事實:(1)硅碳棒氧化速率比純硅要低;2)硅碳棒氧化層中有氣泡出現;(3)硅碳棒單晶的氧化速率取決于結晶方向;(4)硅碳棒比純硅的活化能高,提出了硅碳棒氧化的擴散/界面反應協同控制理論。與單一的氧或CO擴散控制理論和界面反應理論相比,該理論能解釋更多的實驗現象。通過實驗提出了一種新的觀點:在1300℃以下分子氧在Si02膜中的擴散是硅碳棒氧化速率的主控制步驟;而大于此溫度時,離子氧的擴散是硅碳棒氧化的主要控制步驟。但該理論并不能解釋像氧化膜中產生氣泡等一些鈍性氧化現象。目前,多數研究者認同拋物線型氧化動力過程,即SiC氧化速率受氧在SiOz膜中的擴散控制。給出了線性一拋物線模型,描述了氧通過硅碳棒氧化層在SiC/Si02界面上的一系列反應:可以簡化為:xz+Ax=B(t+t)其中,x代表氧化層的厚底,t代表氧化時間,D代表氧在氧化層中的擴散系數,C代表與外界環境相關的氧的溶解度,k是反應第一速率常數,N是氧氣的單位體積摩爾數,t是時間常數。36 www.effiproz.net

    上一篇:硅碳棒電熱組件的理論值L為電熱組件         下一篇:具有近似顯氣孔率的硅碳棒電熱陶瓷材料
     
     
    網站首頁 | 公司簡介 | 新聞中心 | 產品展示 | 企業文化 | 聯系我們 | 網站地圖 |

    友情鏈接:硅碳棒 電熱元件 橋梁模板 橋梁模板租賃 蝸輪蝸桿 山東橡膠制品廠家 農林保水劑 導熱硅膠片 倉儲籠 油冷式電動滾筒 油炸機 搪玻璃反應釜 硅膠干燥劑 鄂式破碎機 大棚 防滲膜 阻垢劑 防水套管 垃圾箱 氟塑料泵 玻璃工藝品 實驗室離心機 不銹鋼焊管 陶瓷透水磚

    版權所有:淄博群強電熱元件有限公司 電話:0533-8179050 傳真:0533-6588997 手機:13869320298 網址: www.effiproz.net 地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)魯ICP備11003558號

    chinese熟女老女人hd

  • <del id="viycn"><div id="viycn"></div></del>