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    硅碳棒電熱組件的理論值L為電熱組件

        高壓力下硬塑擠出成型所用塑化劑要求其塑化液能與硅碳棒表面形成良好界面結合、塑化液膜具有足夠的強度從而在高壓力擠出成型過程中不被破壞,從而降低顆粒之間的摩擦,使顆粒之間容易相互填充。將水溶性高分子M,PX、表面活性物質X復合使用,與單一塑化劑相比,改善了液膜的強度和液膜與硅碳棒表面的吸附,使所需的塑化液用量降至最低,從而提高了生坯的致密度。在擠出成型中,填充顆粒不僅要對大顆粒之間的孔隙進行填充,還要避免大顆粒之間的直接接觸,因此擠出成型泥料的最優顆粒級配并不符合緊密堆積理論,當粗顆粒與填充料(塑化液+細粉)比例為6:4時成型密度最高。純硅碳棒是電絕緣體(電阻率104 "cm),而在SiC的合成過程中不可避免地會由原料引入多種金屬雜質,其中包括Al, Fe等3價雜質和V, P, As等S價雜質。5價雜質包含5個價電子,當其進入具有4個價電子的硅碳棒晶格時,這些雜質就有多余的電子可以放出,稱之為施主雜質,所形成的硅碳棒具有電子導電性質,是一種n型半導體。當引入3價雜質時,由于Al, Fe等只有3個價電子,在構成硅碳棒晶格時,具有接受電子的能力,稱為受主雜質,它以空穴方式導電,屬于P型半導體,除此之外,由于C具有部分接受電子的能力,C過量也可使SiC形成P型半導體。由于摻雜的作用使電阻大幅度降低。實際上當溫度高于800℃時,由于少量雜質帶來的電阻的區別可以忽略電熱材料是由硅碳棒顆粒和氣孔構成的?蓪⒐杼及綦姛岵牧峡闯墒沁@兩相的混合物,在只考慮氣孔率對電阻影響的情況下,可將硅碳棒電熱材料的作如下等效變換圖4-1單一考慮氣孔率影響硅碳棒電熱材料時電性能等效示意圖則其電阻率可表現為:R為硅碳棒電熱組件的理論值L為電熱組件的長度入電熱組件的氣孔率S電熱組件的橫截面積K顯微結構因子vRp為某組原料制備的SiC電熱組件的電阻率表4-1列出了不同燒結密度(氣孔率)硅碳棒電熱制品(空心圓管,外徑14mm、內徑為6mm、熱端長為100mm)的電阻值?梢钥闯鲭娮杪孰S氣孔率的增加逐漸變大,這是因為隨著氣孔率的增大,硅碳棒電熱元件的有效導電橫截面積減少了,從而使制品的電阻增加。33 www.effiproz.net

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